MT48V4M32LFF5-8:G
职位概述：微米®128MB SDRAM是一个高速CMOS，动态随机存取存储器包含134217728bits。这是内部配置为一个四银行dramwith同步接口（所有的信号都是注册在上升沿的时钟信号CLK）。每个thex16的33554432位银行由4096行by512列16位。每个的X32的33554432 bitbanks分为4096行256列32bits。读写访问SDRAM的突发导向；访问在选定的位置开始，继续编程数量在programmedsequence位置。访问开始与一个ac-tive命令的登记，这是随后的读写命令。登记的地址位重合与激活命令用于选择银行和行访问（BA0，BA1上选择银行；A0 -答11选择行）。登记的地址位重合与读或写命令选择为突发存取的起始列位置。在SDRAM提供可编程读写突发长度为1，2，4，或8个地点，或整版，有爆裂终止选项。汽车prechargefunction能够提供一个自我定时行预充电是在突发se-quence.the 128MB SDRAM年末开始使用内部pipelinedarchitecture实现高速运行。该结构与prefetcharchitectures 2N规则兼容，但它也允许列地址改变每个时钟周期实现高速、完全随机存取。预充一家银行在接入一个其他三家银行将隐藏的prechargecycles提供无缝的高速，random-accessoperation.the 128MB SDRAM设计在3.3V or2.5v操作、低功耗存储器系统。自动刷新模式提供，随着节能，掉电模式。所有的输入和输出都lvttl-compatible.sdrams提供DRAM操作性能方面取得了重大进展，包括能力synchronouslyburst数据在自动列地址生成的高数据速率，交错之间，内部银行预充电时间，且随机变化对时钟周期列地址访问期间突发的隐藏能力